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为探讨采用飞秒激光直接刻写样品取代传统光刻掩膜版方式来实现微机电系统（MEMS）加工短流程工艺的可行性,采用中心波长为800nm、脉宽为50 fs的激光对100硅片（薄膜为350nm～500nm厚的氮化硅）进行实验,分析了飞秒激光材料加工特性。分析和实验结果表明,飞秒激光比纳秒、皮秒激光更适用于短流程工艺。MEMS加工短流程工艺减少了加工流程,缩短了加工周期。通过对激光脉冲能量和平台移动速度的控制可实现精确微加工。