【摘 要】
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介绍了FBAR用复合氮化铝（AlN）压电薄膜的制作方法。采用双S枪中频（40kHz）磁控反应性溅射铝靶制作出了AlN压电薄膜。采用双S枪直流（DC）磁控溅射钼（Mo）靶制作出了Mo电极薄膜。对AlN压电
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十六研究所
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介绍了FBAR用复合氮化铝（AlN）压电薄膜的制作方法。采用双S枪中频（40kHz）磁控反应性溅射铝靶制作出了AlN压电薄膜。采用双S枪直流（DC）磁控溅射钼（Mo）靶制作出了Mo电极薄膜。对AlN压电薄膜、Mo电极薄膜进行了X线衍射（XRD）分析,结果表明,AlN压电薄膜（002）面、Mo薄膜（110）面择优取向优良。对Ф4″Si基AlN压电薄膜进行了膜厚测试,结果表明,其膜厚均匀性优于±0.5%。对Ф4″Si基AlN压电薄膜、Mo薄膜进行了应力测试,结果表明,其应力分别在-100～＋100
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