苯乙烯基噻吩D—π—A分子的二阶非线性光学性质的理论研究

来源 :淮阴师范学院学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：hbhhl2006

【摘要】

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以量子化学半经验AM1方法在优化几何结构的基础上,采用INDO/SOS方法,对几种三氰乙烯基为拉电子基团、苯乙烯基噻吩为共轭桥D-π-A型分子电子结构、光谱和非线性光学系数进行

【作者】

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阚玉和张镖朱玉兰

【机构】

：

淮阴师范学院

【出处】

：

淮阴师范学院学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2003年2期

【关键词】

：

苯乙烯基噻吩 D-π-A分子电子结构电子光谱非线性光学系数 INDO/SOS方法 phenylethenyl thiophenes INDO/SOS

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以量子化学半经验AM1方法在优化几何结构的基础上,采用INDO/SOS方法,对几种三氰乙烯基为拉电子基团、苯乙烯基噻吩为共轭桥D-π-A型分子电子结构、光谱和非线性光学系数进行了计算. 结果表明,噻吩环可以极大地提高分子的二阶非线性光学系数.同时探讨了分子电子结构对电子光谱及非线性光学性质影响的微观本质.

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