【摘 要】
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研究了AlCl 3-SiCl4-H2-CO2气相系统不同温度化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)Al2O3-SiO2系氧化物相组成及显微结构,分析了不同温度下气相的渗透效果和550C沉积
【机 构】
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南京航空航天大学材料科学与技术学院
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研究了AlCl 3-SiCl4-H2-CO2气相系统不同温度化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)Al2O3-SiO2系氧化物相组成及显微结构,分析了不同温度下气相的渗透效果和550C沉积产物的相演化.结果表明,1050 C沉积薄膜由多晶致密α-Al2O3,3Al2O3·2SiO2,少量δ-Al2O,ι-Al2O3和非晶SiO 2组成,850C沉积薄膜由多孔δ-Al2O3结合非晶SiO 2组成,550C沉积薄膜由致密γ-Al2O3结合非晶SiO2组成.550C
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