【摘 要】
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报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计，设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中，开展了关键工艺的
【机 构】
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报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计，设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中，开展了关键工艺的专题研究。研究结果为：单级单片放大器在10：5－11．6GHz范围内，NF≤1．82dB，G≥7.72dB；在11．7－12．2GHz范围内，NF≤1．80dB，G≥6．8dB；双级放大器在10．4－11．1GHz范围内，NF≤1．96dB，G≥15．3dB，最低噪声系数为1．63dB，最高增益为16．07dB。
Reported the X-band and DBS receiving monolithic low-noise amplifier development results. Using CAD software to optimize the design of the monolithic circuit, the design work includes three parts: MBE material, PHEMT device and monolithic circuit. In the development process, carried out thematic studies of key processes. The results are as follows: single-stage monolithic amplifier in the range of 10: 5-11.6GHz, NF≤1.82dB, G≥7.72dB; in the range of 11.7-12.2GHz, NF≤1.80dB, G≥ 6.8dB; two-stage amplifier in the 10.4-11.1GHz range, NF ≤ 1.96dB, G ≥ 15.3dB, the lowest noise figure of 1.63dB, the highest gain of 16.07dB.
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