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中芯国际与Crossbar日前共同宣布双方就非易失性RRAM开发与制造达成战略合作协议。作为双方合作的一部分，中芯国际与Crossbar已签订一份代工协议，基于中芯国际40nmCMOS制造工艺，提供阻变式存储器组件。这将帮助客户将低延时、高性能和低功耗嵌入式RRAM存储器组件整合入MCU及SoC等器件，以应对物联网、可穿戴设备、平板电脑、消费电子、工业及汽车电子市场需求。