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每次按下计算机的电源按钮之后，心急火燎的你却要等上一分钟才能看到Windows启动完毕……
这是因为现在的RAM内存需要不停地刷新才能够保存数据，一旦关机所有的数据都会被清空；于是每次启动都要从硬盘中调出数据，并逐项加载。而现在这种状况可能会成为历史了，因为一种新型电路器件的出现，
我们可以：
●在按下电源按钮的瞬间就启动完毕，同理，在关机时也会更加迅速；
●我们可以利用它造出数十倍于目前硬盘存储密度的“超级芯片”，SSD(闪存)硬盘算什么？
●计算机只能够处理0和1的时代也会因此而终结，“模拟计算”、“电子神经元突触”，这些都可能从假想变为现实……而这一个小东西，我们叫它“记忆电阻”或者“忆阻器”。
2008年4月，惠普实验室的研究人员宣布已经发现了一种新的电路元件—— 忆阻器(Memristor)，并在著名的《自然》杂志上发表了一篇题为《找到了缺失的忆阻器(The Missing MemristorFound)》的文章；随后，业界掀起了一系列研究和探讨忆阻器的热潮。
一个小小的零件居然能够引起轩然大波，它究竟都有什么本领能让那么多人为对它青睐有加。从提出理论模型到现在被最终证实，中间漫长的时间为什么人们一直没有发现它，它又是怎样被科研人员“揪”出来的呢？所有的一切，就让我们从根源说起吧……
缺失了37年之久的第4种电路元件
当通过接触电极在TiO2薄膜上加上正向电压时，薄膜中低阻层中的空穴由于受到正向电场的排斥而移向高阻层一侧，使原来高阻层的导电能力提高、电阻值降低，最终使整个薄膜的平均电阻降低；当在TiO2薄膜上加上反向电压时，薄膜中低阻层中的空穴被反向电场吸引到积聚于低阻层一侧，而使整个薄膜的平均电阻增大。在外加电压消失(断电)后，TiO2薄膜不再受到电场的作用，将会维持其电阻状态，这样原来外加电压所产生的电阻值就被“记忆”了下来。 惠普实验室研制的这种具有记忆电阻特性的薄膜型多层器件有一个技术关键，是利用了纳米效应，忆阻器实际上是一种纳米电子器件，因此忆阻器薄膜的厚度必须控制在纳米尺度，大约只有5纳米(不到人的一根头发直径的万分之一)。另外，惠普的忆阻器材料选择了TiO2，是因为这种材料本身就具有变阻特性，当TiO2材料暴露于氧气中时，其电阻值可随氧气的浓度不同而发生变化。
●忆阻器件的速度优势
除了独特的“记忆”功能之外，忆阻器还具有所需工作电压低、反应速度快等特点，所以未来基于忆阻技术的电路芯片的耗电量将会得到有效降低。忆阻器件的另一特点，具有数字和模拟两种工作模式——处于数字工作模式的忆阻器件非常适合用于数字信息的大量、快速存储；而模拟工作模式将有可能使忆阻器件的在开发新型的模拟信息处理系统，又或模拟计算机等方面起到十分关键的作用。
忆阻器件的尺寸很容易降低到几个纳米，而目前最先进的半导体芯片制程也只达到了45纳米(投入量产的)，且现有构架的半导体芯片制程进一步降低到20纳米以下将是十分困难的，而未来采用纳米级的忆阻器件所构成的电路芯片，其器件密度(集成度)可以明显提高，芯片尺寸大大缩小，还能从根本上解决半导体芯片内部电路的漏电发热问题。如此看来，摩尔定律的“失效时间”又一次被延长了。
记忆电阻将带来新的技术跨越
经过37年的等待后终于被找到的忆阻器，相对于器件本身来说，大家更关心的是这种最新发现的电路元件究竟能够给业界带来怎样的技术跨越，未来经过不断完善的忆阻技术在微电子以及计算机领域会开创怎样的一个新天地呢？
根据忆阻器所具有的基本特性，目前可以预见的忆阻技术应用主要有两大类，一类是利用忆阻器件的数字工作模式，在研制新型的非易失型随机存储器(NVRAM，Non-Volatile Random Access Memory)方面的应用；另一类是利用忆阻器件的模拟工作模式，在未来的新型模拟式计算机的电路设计中作为一种“电子神经元突触”(Electronic Synapse)或“人工神经元突触”(Artificial Synapse)的应用。
●全新构架的高密度大容量高速存储器
忆阻器件固有的记忆特性、纳米级的尺寸、快速开关以及耗电量低等特点，为其在研制一种全新构架的高密度、大容量、高速存取的非易失型存储器，提供了极大的可能性。事实上，惠普实验室的研究人员已经着手研制忆阻存储器件，他们已经能够在1cm2的硅片上存储100 GB的数据，其存储密度远高于现有的闪存，也超过了目前硬盘的存储密度(现在存储密度最高的盘片可以实现300Gb/inch2，约合5.8GB/cm2)。研究人员还表示惠普未来将可能使忆阻存储器的存储密度提高到1TB/cm2以上。另外，忆阻存储器件的存取速度与目前计算机内存所普遍采用的动态随机存取存储器(DRAM)基本相当。
与目前广泛使用的存储器，包括使用闪存作为存储介质的SSD硬盘相比，基于忆阻器的存储设备具备耗电量更低、存储密度更大、速度更快、尺寸更小等一系列优点。可以预见，在未来数码相机、手机、笔记本电脑等使用电池供电的便携式设备，将会是忆阻器设备的消费主力。甚至等到忆阻技术成熟之后，成本大幅下降的忆阻器设备将有望取代目前广泛使用的闪存以及温彻斯特结构的硬盘。
据国外媒体报道，惠普可能将在2009年发布其“阻性随机存取存储器”(RRAM，Resistive Random-Access Memory)的原形芯片。惠普的RRAM芯片以忆阻器件作为基本存储单元，其结构的设计采用了惠普以前研发的“交叉开关”(Crossbar Latch)技术，交叉开关结构由分别位于底层、顶层的两层纳米级金属线电极相互垂直交叉而形成，各个忆阻单元都处在交叉开关矩阵结构中的两个电极相互交叉的节点位置(如右图所示)，通过检测一个交叉开关的两个电极之间的电阻值，即可确定RRAM在相应忆阻单元存储的是1还是0。如此一来，真正芯片硬盘的时代即将到来。
●无需启动时间的“即开即用”计算机
忆阻存储器兼有计算机随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)的特点，既能像RAM一样进行数据的随机存取，又能像ROM一样在断电后仍然保持信息不丢失，这使得忆阻存储器作为一种非易失型计算机内存成为可能。
目前的计算机在关机后，DRAM内存中的数据全部消失，所以当再次开机时需要重新启动，即计算机把需要运行的程序和数据从硬盘全部载入到DRAM内存的过程，开机启动过程需要一定时间，也会耗用较多的电能。
如果计算机内存采用了基于忆阻器件的非易失性随机存取存储器(NVRAM)，则内存中的程序和数据在计算机关机断电后依然存在，故下次开机时的启动过程可在瞬间完成，并且能够完全保持上次关机时的计算机工作状态，可以立刻操作使用而无需任何等待时间，这种即开即用型的计算机显然将能为用户提供更多的方便。由于基于忆阻器件的NVRAM的耗电量等指标明显优于目前普遍使用的DRAM，所以这种即开即用型的计算机也将具有更好的节能效果，可达到更高的能效比。
另外，未来若以大容量的忆阻NVRAM取代硬盘，则因硬盘存取速度较低所造成的瓶颈将会得到有效解决，这样的大容量忆阻NVRAM将能够像硬盘一样存储海量数据，同时又具有像DRAM一样的高速存取性能，计算机系统的整体性能将因此明显地提升。同时，忆阻NVRAM还可以直接设计在计算机电路中，无需另外添加存储模块，可更有效地节省机体空间，从而使未来的计算机更小更快。
虽然以忆阻NVRAM完全取代计算机目前所采用的DRAM内存和硬盘，还需要一个技术发展过程。不过，按照惠普目前的一个过渡性方案，忆阻NVRAM将会首先作为计算机系统中DRAM内存与硬盘之间的一种“缓存”来使用，硬盘上的一些关键数据(例如启动Windows操作系统所必须的指令序列等)将会被载入到忆阻NVRAM缓存中，在需要时将这些关键数据由忆阻NVRAM缓存转储到DRAM内存中。由于从忆阻NVRAM缓存转储到DRAM内存的速度，要高于当前由硬盘直接传送到DRAM内存的速度，所以这种应用方案将有助于提升计算机系统启动的速度和加载大文件时的速度。
●能够主动学习的新型智能化计算机系统
迄今为止， 计算机所具有的“人工智能(AI)”都是通过十分复杂繁琐的智能软件算法实现的，这是因为目前的数字式电子计算机的硬件实际上只能进行基本的0、1数字逻辑处理，而人类的思维活动在很多情况下采用是模糊逻辑。记忆电阻特有的多态模拟工作模式、纳米尺寸、低能耗等突出特性，为开发能够模仿人类大脑处理信息方式的全新的智能化节 能型模拟式计算机硬件带来了曙光。
忆阻器件的特性与人脑神经元突触有某些相似之处。这将有可能开发一种新型的模拟式计算机系统，其基本工作机制将不再像目前的数字式计算机那样依赖于开关器件的开关状态所代表的0和1，而主要是使用忆阻器件的多种中间状态。忆阻器件构成的模拟式计算机的每个存储单元都可以保存某个中间值，这样便可在电信号的控制下不断积累出数量巨大的中间值阵列，并能对这种中间值阵列进行检索和关联等智能化的处理，这在一定程度上非常接近于人类大脑神经的某些功能模式，而忆阻器件就相当于这种模拟式计算机中的电子神经元突触。
按照惠普研究人员的构想，未来基于忆阻和人工神经技术的CPU，将具备多个处理核心。其中一部分处理核心仍采用数字处理模式，主要完成与当前计算机相同的非智能型的处理工作；其余的处理核心则是采用基于忆阻技术的模拟处理方式，具有类似于人类大脑的自动记忆、模式匹配、事件关联等信息处理能力，能够快速高效地完成像面部识别、语音识别、经验学习等智能型的处理工作，并且这种智能化硬件的处理效率将远远超过目前数字式计算机软件人工智能的处理效率。
事实上，惠普的研究人员已经开发了一种以纳米线交叉开关结构为基础的人工神经网络技术并获得了专利，但一直未能找到这种神经网络所需的最佳节点材料，而忆阻器件的发现无疑是“雪中送炭”，因为忆阻器件所具有的特性十分理想地满足了这种神经网络节点的功能需要。基于忆阻器件与纳米线交叉开关结构的人工神经网络技术，将有可能奠定未来智能化模拟式计算的技术基础。
结束语
记忆电阻的发现显然具有十分重大的意义，它不仅为电子电路基本理论的发展提供了实验结果支持，同时也为新的技术跨越和新技术领域的拓展打下了基础，相关的研究人员认为忆阻器的问世足可与当年晶体管的发明相提并论。虽然现有的半导体工厂就能直接用于生产基于忆阻器件的芯片，但由于基于忆阻器件的电路设计具有一定的特殊性和复杂性，只有在更多的电路设计人员比较熟练地掌握了有关这种新型电路高效的设计方法和规程之后，才能为忆阻技术开拓更合适更广泛的应用领域，所以忆阻技术的实际应用特别是商品化的应用可能还需要一个过程，不过忆阻器件在存储器技术方面的实际应用将有可能最快、最先获得突破。
虽然惠普对忆阻技术的研发目前处于领先地位，但忆阻器件在存储技术等方面的应用将有可能面临两个方面的竞争和挑战，其一是其它相关厂商和研究机构对忆阻技术的研究和开发应用，其二是其它新型存储技术的发展和应用。
据报道，三星、松下、富士通以及IMEC(欧洲的大学协作微电子中心)等都在进行类似于忆阻存储器的“变阻随机存取存储器”(ReRAM，Resistance-Change Random-Access Memory)技术的研究和开发，其中三星公司的一种采用了双层氧化物电极结构的非易失型ReRAM存储器技术已申请了专利，ReRAM存储器技术与惠普的RRAM存储器技术在原理上十分接近。另外，IBM、希捷、日立等也都在开发各自不同的新型存储技术，因此忆阻存储技术还很可能将面临与IBM的“赛道”(Racetrack)等新一代存储技术的角逐。但从某种角度来看，这些技术竞争可能会更有利于加快忆阻技术的发展。
总之，忆电技术的意义将不仅局限在能够取代现有的存储技术，可以预期的是，在未来的若干年时间中它将会更广泛地应用于具有各种各样新型智能化功能的电路芯片，乃至使电子与计算机科学技术等领域发生革命性的变化，我们不妨拭目以待。
这是因为现在的RAM内存需要不停地刷新才能够保存数据，一旦关机所有的数据都会被清空；于是每次启动都要从硬盘中调出数据，并逐项加载。而现在这种状况可能会成为历史了，因为一种新型电路器件的出现，
我们可以：
●在按下电源按钮的瞬间就启动完毕，同理，在关机时也会更加迅速；
●我们可以利用它造出数十倍于目前硬盘存储密度的“超级芯片”，SSD(闪存)硬盘算什么？
●计算机只能够处理0和1的时代也会因此而终结，“模拟计算”、“电子神经元突触”，这些都可能从假想变为现实……而这一个小东西，我们叫它“记忆电阻”或者“忆阻器”。
2008年4月，惠普实验室的研究人员宣布已经发现了一种新的电路元件—— 忆阻器(Memristor)，并在著名的《自然》杂志上发表了一篇题为《找到了缺失的忆阻器(The Missing MemristorFound)》的文章；随后，业界掀起了一系列研究和探讨忆阻器的热潮。
一个小小的零件居然能够引起轩然大波，它究竟都有什么本领能让那么多人为对它青睐有加。从提出理论模型到现在被最终证实，中间漫长的时间为什么人们一直没有发现它，它又是怎样被科研人员“揪”出来的呢？所有的一切，就让我们从根源说起吧……
缺失了37年之久的第4种电路元件
当通过接触电极在TiO2薄膜上加上正向电压时，薄膜中低阻层中的空穴由于受到正向电场的排斥而移向高阻层一侧，使原来高阻层的导电能力提高、电阻值降低，最终使整个薄膜的平均电阻降低；当在TiO2薄膜上加上反向电压时，薄膜中低阻层中的空穴被反向电场吸引到积聚于低阻层一侧，而使整个薄膜的平均电阻增大。在外加电压消失(断电)后，TiO2薄膜不再受到电场的作用，将会维持其电阻状态，这样原来外加电压所产生的电阻值就被“记忆”了下来。 惠普实验室研制的这种具有记忆电阻特性的薄膜型多层器件有一个技术关键，是利用了纳米效应，忆阻器实际上是一种纳米电子器件，因此忆阻器薄膜的厚度必须控制在纳米尺度，大约只有5纳米(不到人的一根头发直径的万分之一)。另外，惠普的忆阻器材料选择了TiO2，是因为这种材料本身就具有变阻特性，当TiO2材料暴露于氧气中时，其电阻值可随氧气的浓度不同而发生变化。
●忆阻器件的速度优势
除了独特的“记忆”功能之外，忆阻器还具有所需工作电压低、反应速度快等特点，所以未来基于忆阻技术的电路芯片的耗电量将会得到有效降低。忆阻器件的另一特点，具有数字和模拟两种工作模式——处于数字工作模式的忆阻器件非常适合用于数字信息的大量、快速存储；而模拟工作模式将有可能使忆阻器件的在开发新型的模拟信息处理系统，又或模拟计算机等方面起到十分关键的作用。
忆阻器件的尺寸很容易降低到几个纳米，而目前最先进的半导体芯片制程也只达到了45纳米(投入量产的)，且现有构架的半导体芯片制程进一步降低到20纳米以下将是十分困难的，而未来采用纳米级的忆阻器件所构成的电路芯片，其器件密度(集成度)可以明显提高，芯片尺寸大大缩小，还能从根本上解决半导体芯片内部电路的漏电发热问题。如此看来，摩尔定律的“失效时间”又一次被延长了。
记忆电阻将带来新的技术跨越
经过37年的等待后终于被找到的忆阻器，相对于器件本身来说，大家更关心的是这种最新发现的电路元件究竟能够给业界带来怎样的技术跨越，未来经过不断完善的忆阻技术在微电子以及计算机领域会开创怎样的一个新天地呢？
根据忆阻器所具有的基本特性，目前可以预见的忆阻技术应用主要有两大类，一类是利用忆阻器件的数字工作模式，在研制新型的非易失型随机存储器(NVRAM，Non-Volatile Random Access Memory)方面的应用；另一类是利用忆阻器件的模拟工作模式，在未来的新型模拟式计算机的电路设计中作为一种“电子神经元突触”(Electronic Synapse)或“人工神经元突触”(Artificial Synapse)的应用。
●全新构架的高密度大容量高速存储器
忆阻器件固有的记忆特性、纳米级的尺寸、快速开关以及耗电量低等特点，为其在研制一种全新构架的高密度、大容量、高速存取的非易失型存储器，提供了极大的可能性。事实上，惠普实验室的研究人员已经着手研制忆阻存储器件，他们已经能够在1cm2的硅片上存储100 GB的数据，其存储密度远高于现有的闪存，也超过了目前硬盘的存储密度(现在存储密度最高的盘片可以实现300Gb/inch2，约合5.8GB/cm2)。研究人员还表示惠普未来将可能使忆阻存储器的存储密度提高到1TB/cm2以上。另外，忆阻存储器件的存取速度与目前计算机内存所普遍采用的动态随机存取存储器(DRAM)基本相当。
与目前广泛使用的存储器，包括使用闪存作为存储介质的SSD硬盘相比，基于忆阻器的存储设备具备耗电量更低、存储密度更大、速度更快、尺寸更小等一系列优点。可以预见，在未来数码相机、手机、笔记本电脑等使用电池供电的便携式设备，将会是忆阻器设备的消费主力。甚至等到忆阻技术成熟之后，成本大幅下降的忆阻器设备将有望取代目前广泛使用的闪存以及温彻斯特结构的硬盘。
据国外媒体报道，惠普可能将在2009年发布其“阻性随机存取存储器”(RRAM，Resistive Random-Access Memory)的原形芯片。惠普的RRAM芯片以忆阻器件作为基本存储单元，其结构的设计采用了惠普以前研发的“交叉开关”(Crossbar Latch)技术，交叉开关结构由分别位于底层、顶层的两层纳米级金属线电极相互垂直交叉而形成，各个忆阻单元都处在交叉开关矩阵结构中的两个电极相互交叉的节点位置(如右图所示)，通过检测一个交叉开关的两个电极之间的电阻值，即可确定RRAM在相应忆阻单元存储的是1还是0。如此一来，真正芯片硬盘的时代即将到来。
●无需启动时间的“即开即用”计算机
忆阻存储器兼有计算机随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)的特点，既能像RAM一样进行数据的随机存取，又能像ROM一样在断电后仍然保持信息不丢失，这使得忆阻存储器作为一种非易失型计算机内存成为可能。
目前的计算机在关机后，DRAM内存中的数据全部消失，所以当再次开机时需要重新启动，即计算机把需要运行的程序和数据从硬盘全部载入到DRAM内存的过程，开机启动过程需要一定时间，也会耗用较多的电能。
如果计算机内存采用了基于忆阻器件的非易失性随机存取存储器(NVRAM)，则内存中的程序和数据在计算机关机断电后依然存在，故下次开机时的启动过程可在瞬间完成，并且能够完全保持上次关机时的计算机工作状态，可以立刻操作使用而无需任何等待时间，这种即开即用型的计算机显然将能为用户提供更多的方便。由于基于忆阻器件的NVRAM的耗电量等指标明显优于目前普遍使用的DRAM，所以这种即开即用型的计算机也将具有更好的节能效果，可达到更高的能效比。
另外，未来若以大容量的忆阻NVRAM取代硬盘，则因硬盘存取速度较低所造成的瓶颈将会得到有效解决，这样的大容量忆阻NVRAM将能够像硬盘一样存储海量数据，同时又具有像DRAM一样的高速存取性能，计算机系统的整体性能将因此明显地提升。同时，忆阻NVRAM还可以直接设计在计算机电路中，无需另外添加存储模块，可更有效地节省机体空间，从而使未来的计算机更小更快。
虽然以忆阻NVRAM完全取代计算机目前所采用的DRAM内存和硬盘，还需要一个技术发展过程。不过，按照惠普目前的一个过渡性方案，忆阻NVRAM将会首先作为计算机系统中DRAM内存与硬盘之间的一种“缓存”来使用，硬盘上的一些关键数据(例如启动Windows操作系统所必须的指令序列等)将会被载入到忆阻NVRAM缓存中，在需要时将这些关键数据由忆阻NVRAM缓存转储到DRAM内存中。由于从忆阻NVRAM缓存转储到DRAM内存的速度，要高于当前由硬盘直接传送到DRAM内存的速度，所以这种应用方案将有助于提升计算机系统启动的速度和加载大文件时的速度。
●能够主动学习的新型智能化计算机系统
迄今为止， 计算机所具有的“人工智能(AI)”都是通过十分复杂繁琐的智能软件算法实现的，这是因为目前的数字式电子计算机的硬件实际上只能进行基本的0、1数字逻辑处理，而人类的思维活动在很多情况下采用是模糊逻辑。记忆电阻特有的多态模拟工作模式、纳米尺寸、低能耗等突出特性，为开发能够模仿人类大脑处理信息方式的全新的智能化节 能型模拟式计算机硬件带来了曙光。
忆阻器件的特性与人脑神经元突触有某些相似之处。这将有可能开发一种新型的模拟式计算机系统，其基本工作机制将不再像目前的数字式计算机那样依赖于开关器件的开关状态所代表的0和1，而主要是使用忆阻器件的多种中间状态。忆阻器件构成的模拟式计算机的每个存储单元都可以保存某个中间值，这样便可在电信号的控制下不断积累出数量巨大的中间值阵列，并能对这种中间值阵列进行检索和关联等智能化的处理，这在一定程度上非常接近于人类大脑神经的某些功能模式，而忆阻器件就相当于这种模拟式计算机中的电子神经元突触。
按照惠普研究人员的构想，未来基于忆阻和人工神经技术的CPU，将具备多个处理核心。其中一部分处理核心仍采用数字处理模式，主要完成与当前计算机相同的非智能型的处理工作；其余的处理核心则是采用基于忆阻技术的模拟处理方式，具有类似于人类大脑的自动记忆、模式匹配、事件关联等信息处理能力，能够快速高效地完成像面部识别、语音识别、经验学习等智能型的处理工作，并且这种智能化硬件的处理效率将远远超过目前数字式计算机软件人工智能的处理效率。
事实上，惠普的研究人员已经开发了一种以纳米线交叉开关结构为基础的人工神经网络技术并获得了专利，但一直未能找到这种神经网络所需的最佳节点材料，而忆阻器件的发现无疑是“雪中送炭”，因为忆阻器件所具有的特性十分理想地满足了这种神经网络节点的功能需要。基于忆阻器件与纳米线交叉开关结构的人工神经网络技术，将有可能奠定未来智能化模拟式计算的技术基础。
结束语
记忆电阻的发现显然具有十分重大的意义，它不仅为电子电路基本理论的发展提供了实验结果支持，同时也为新的技术跨越和新技术领域的拓展打下了基础，相关的研究人员认为忆阻器的问世足可与当年晶体管的发明相提并论。虽然现有的半导体工厂就能直接用于生产基于忆阻器件的芯片，但由于基于忆阻器件的电路设计具有一定的特殊性和复杂性，只有在更多的电路设计人员比较熟练地掌握了有关这种新型电路高效的设计方法和规程之后，才能为忆阻技术开拓更合适更广泛的应用领域，所以忆阻技术的实际应用特别是商品化的应用可能还需要一个过程，不过忆阻器件在存储器技术方面的实际应用将有可能最快、最先获得突破。
虽然惠普对忆阻技术的研发目前处于领先地位，但忆阻器件在存储技术等方面的应用将有可能面临两个方面的竞争和挑战，其一是其它相关厂商和研究机构对忆阻技术的研究和开发应用，其二是其它新型存储技术的发展和应用。
据报道，三星、松下、富士通以及IMEC(欧洲的大学协作微电子中心)等都在进行类似于忆阻存储器的“变阻随机存取存储器”(ReRAM，Resistance-Change Random-Access Memory)技术的研究和开发，其中三星公司的一种采用了双层氧化物电极结构的非易失型ReRAM存储器技术已申请了专利，ReRAM存储器技术与惠普的RRAM存储器技术在原理上十分接近。另外，IBM、希捷、日立等也都在开发各自不同的新型存储技术，因此忆阻存储技术还很可能将面临与IBM的“赛道”(Racetrack)等新一代存储技术的角逐。但从某种角度来看，这些技术竞争可能会更有利于加快忆阻技术的发展。
总之，忆电技术的意义将不仅局限在能够取代现有的存储技术，可以预期的是，在未来的若干年时间中它将会更广泛地应用于具有各种各样新型智能化功能的电路芯片，乃至使电子与计算机科学技术等领域发生革命性的变化，我们不妨拭目以待。