基于SOI材料的刻蚀光栅分波器的制作工艺

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yoki1120

【摘要】

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研究了基于绝缘材料上的硅(SOI)材料的平面波导刻蚀光栅分波器的主要制作工艺．利用电感耦合等离子体刻蚀(ICP)技术，在SOI材料上制作了垂直度大于89°的光滑的光栅槽面．氧化

【作者】

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王文辉唐衍哲戈肖鸿吴亚明杨建义王跃林

【机构】

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中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室,浙江大学信息与电子工程学系

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

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刻蚀光栅波导镜电感耦合等离子体刻蚀绝缘材料上的硅分波器 etched diffraction gratingswaveguide turning mir

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研究了基于绝缘材料上的硅(SOI)材料的平面波导刻蚀光栅分波器的主要制作工艺．利用电感耦合等离子体刻蚀(ICP)技术，在SOI材料上制作了垂直度大于89°的光滑的光栅槽面．氧化抛光后刻蚀侧壁的表面均方根粗糙度(RMS)有3nm的改善，达到7．27nm(采样面积6．2μm×26μm)．通过采用集成波导拐弯微镜代替弯曲波导使1×4分波器的器件尺寸仅为20mm×2．5mm．测试结果表明器件实现了分波功能．

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