论文部分内容阅读
采用恒电流电化学技术直接在金属钼片上刺备了具有白钨矿结构的钼酸盐（BaMoO4）薄膜，着重在实验上研究了电化学技术制备BaMoO4薄膜的初期生长特性。对制备时间分别为10、30s、1、3、5、8直到50min（制备完毕）的BaMoO4薄膜进行了SEM测试，并对相应的测试结果进行了对比和分析。研究表明，用电化学法制备的BaMoO4晶态薄膜在生长初期具有如下特点：薄膜生长之初就有比较完整的晶核生成；晶核和晶粒优先选择在基体缺陷（折叠、划痕、缺陷、凹凸不平等）处堆砌和生长；基体上晶粒的数量随着制备时间的增加而增