【摘 要】
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一、引言电力电子技术的发展,尤其是其中的关键器件GTO(可关断晶闸管)、LTT(光控晶闸管)及IEGT(电子注入增强门极晶体管)向大功率、高电压方向的迅速发展,出现了一种为适应
【机 构】
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哈尔滨大电机研究所,哈尔滨大电机研究所 150040,150040
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一、引言电力电子技术的发展,尤其是其中的关键器件GTO(可关断晶闸管)、LTT(光控晶闸管)及IEGT(电子注入增强门极晶体管)向大功率、高电压方向的迅速发展,出现了一种为适应电力系统
I. INTRODUCTION The development of power electronic technology, especially the rapid development of key devices GTO (thyristor), LTT (photo controlled thyristor) and IEGT (electron injection enhanced gate transistor) in the direction of high power and high voltage, There has been a kind of adaptation to the power system
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