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制备了基于蓝宝石衬底的GaN基LED(C-LED)以及由激光剥离技术(LLO)制作的基于Cu衬底的相同电学结构的薄膜GaN基LED(LLO-LED)。通过研究发现,经过激光剥离过程后,器件的反向漏电流明显增加,其等效并联电阻下降了近两个数量级。通过对变温I-V曲线的分析,反向偏压下隧穿漏电机制的主导地位被发现并证实,而激光剥离前后样品腐蚀后的AFM照片显示缺陷密度没有明显改变。隧穿机制的增加是由于激光剥离过程激发了更多缺陷的隧穿活性。然而,蓝宝石衬底LED以及激光剥离薄膜Cu衬底LED的相似的理想因子和等