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ZnO为Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，是一种极具潜力的新型功能材料。给出了ZnO薄膜的主要物理性能，并对制备方法作了比较详尽的介绍，包括激光脉冲沉积法、磁控溅射法、金属有机物化学气相沉积法、溶胶凝胶法、喷雾热解法、分子束外延法、原子层外延生长法。
ZnO薄膜的物理性质与制备方法研究
【摘 要】
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ZnO为Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，是一种极具潜力的新型功能材料。给出了ZnO薄膜的主要物理性能，并对制备方法作了比较详尽的介绍，包括激光脉冲沉积法、磁控溅射法、金属有机物化学气相
【机 构】
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江西师范大学物理与通信电子学院,江西省光电子重点实验室
【出 处】
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江西科学
【发表日期】
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2008年1期
【基金项目】
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江西省自然科学基金资助项目（052016）,江西省研究生创新基金专项资助.
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