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采用真空蒸镀法在低电阻率单晶硅p（100）基底上沉积99．99％高纯铝膜．一步氧化法制备硅基底多孔阳极氧化铝膜作为模板，金属钴为催化剂，900℃催化裂解甲烷，常压下在硅基底上制备出了较大面积的碳纳米管阵列．利用扫描电镜、透射电镜和拉曼光谱对生长的碳纳米管形貌特征进行表征．结果表明，碳纳米管阵列高度取向、彼此分立，碳纳米管结晶度高、缺陷少、密度高．