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通过低压化学气相沉积方法,在Si（100）衬底上生长了高度择优取向的3C-SiC （100）薄膜。SiC （200）峰的摇摆曲线表明SiC薄膜的结晶质量随着丙烷气体引入温度（Tgi）的升高而增加。选区电子衍射像表明高Tgi下生长的薄膜比低Tgi下生长的薄膜具有更好的取向。典型的SiC薄膜高分辨像中观察到了孪晶和层错。表面场发射扫描电镜像表明随着Tgi的升高,SiC薄膜的表明形貌发生了改变。