低损耗1 080 nm高功率激光高反膜元件的研制

来源 :光学与光电技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lbsylh
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
针对1 080 nm连续激光光学系统中反射镜的需求, 设计了低损耗高反膜膜系, 优化了膜系中的电场分布, 对高反膜元件工艺体系进行了控制。采用离子束溅射工艺, 成功地在超光滑石英玻璃基底上研制出了Ta2O5/SiO2体系高反膜, 对所获得的高反膜元件表面粗糙度、光学性能及抗激光损伤能力进行了讨论与分析。结果表明: 研制的低损耗1 080 nm高功率激光高反膜元件表面粗糙度达到0.115 nm, 在1 064 nm处吸收和散射损耗之和约17 ppm, 可承受500 kW/cm2的激光辐照而不损伤, 工艺技术应用前景良好。
其他文献
期刊
为更好地评价异基因骨髓移植(allo-BMT)后的嵌合状态,采用可变串联重复区(VNTR) D1S80位点多聚酶链反应(PCR)法对10例白血病患者allo-BMT后的嵌合状态进行检测。结果9例为完全嵌合(CC),1例为混合嵌合(MC),其中2例经核型分析结果证明为CC, 6例经小卫星DNA探针Southern杂交分析也证明为CC。说明VNTR位点PCR法检测allo-BMT后的嵌合状态具有方法简
凝血因子Ⅷ基因的第8号和第14号外显子的3'端编码F Ⅷ的重要功能区,涉及凝血酶的激活、蛋白C的降解灭活及与vWF结合。应用PCR和变性梯度凝胶电泳(Denaturing gradient gel electrophoresis, DGGE)技术,研究了28例血友病甲患者F Ⅷ基因的这两个外显子,发现一例轻型血友病甲患考F Ⅷ基因第8号外显子的DGGE行为发生了改变,经双脱氧链终止法测序证实,该外
期刊
期刊
期刊
期刊
用飞行时间质谱测量308 nm激光熔蚀C60化学修饰的聚乙烯咔唑(C60-PVK)与C60/聚乙烯咔唑共混物(C60/PVK)的产物分布,分析了正负离子质谱,发现明显的碳笼融合现象。比较分析了融合过程的增强机理,认为C60与PVK间的化学键合以及电荷转移络合分别在C60-PVK键合物和C60/PVK共混物的富勒烯融合过程中起了重要作用。
研究了提拉法生长的掺Er3 的Sr3Y2(BO3)4晶体的吸收光谱和荧光光谱。应用J-O理论分析并计算了光谱参数,得到唯象参数Ω2、Ω4和Ω6分别为11.90×10-20 cm2、3.44×10-20 cm2和1.92×10-20 cm2。在Er3 ∶Sr3Y2(BO3)4晶体中,Er3 在1 533 nm 波长的发射截面为100×10-20 cm2,4I13/2→4I15/2能级跃迁的荧光寿命和辐射寿命分别为0.58 ms和4.10 ms,良好的光谱性能表明Er3 ∶Sr3Y2(BO3)4晶体可能成为
期刊