【摘 要】
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提出了基于CMOS工艺的直接频率变换的DVB-S射频前端电路设计.设计采用了T型匹配网络的可变衰减器、具有单端到双端变换功能的低噪声放大器以及低噪声混频器.通过使用衰减器,
【机 构】
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北京工业大学北京嵌入式系统重点实验室,北京工业大学北京嵌入式系统重点实验室 北京100022,北京100022
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提出了基于CMOS工艺的直接频率变换的DVB-S射频前端电路设计.设计采用了T型匹配网络的可变衰减器、具有单端到双端变换功能的低噪声放大器以及低噪声混频器.通过使用衰减器,系统处理线性度的能力得到很大的提高.设计和流片基于SMIC0.18μmCMOS工艺.测试结果表明,该设计能够达到超过30dB的动态范围,噪声系数小于3dB,消耗电流为10mA.在低增益情况下,具有+20dBm的输入三阶交调能力.
The design of DVB-S RF front-end circuit based on CMOS process and direct frequency conversion is proposed.The design uses a variable attenuator of T-matching network, a low-noise amplifier with single-ended to double-ended conversion function and a low noise mixer. By using the attenuator, the ability of the system to process the linearity is greatly improved.The design and the chip are based on the SMIC0.18μm CMOS process.The test results show that the design can reach more than 30dB dynamic range, the noise figure is less than 3dB, the current consumption is 10mA At low gain, it has +20 dBm input third-order intermodulation capability.
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