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研究使用新材料2-TNATA作空穴注入层制备OLED，发现空穴注入层厚度的最佳参数为35nm，器件的发光光谱随空穴注入层厚度并不发生显著变化，微腔作用对发光光谱的影响基本可以忽略。并将2-TNATA作为空穴注入层的器件同CuPc制作的器件进行了对比，发现使用2-TNATA能获得更佳的器件性能。
利用新型的空穴注入层材料提高有机发光器件性能
【摘 要】
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研究使用新材料2-TNATA作空穴注入层制备OLED，发现空穴注入层厚度的最佳参数为35nm，器件的发光光谱随空穴注入层厚度并不发生显著变化，微腔作用对发光光谱的影响基本可以忽略。
【机 构】
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电子科技大学光电信息学院
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2006年6期
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