新颖的微波器件材料──InGaAs/GaAs异质结构

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新颖的微波器件材料──InGaAs/GaAs异质结构彭正夫,张允,龚朝阳,高翔,孙娟,吴鹏(南京电子器件研究所210016)一、引言众所周知,GaAsMESFET器件的微波特性主要由沟道中的电子饱和速度和栅长决定.由于InGaAs的电子饱和速度比Ga... Novel Microwave Device Materials - InGaAs / GaAs Heterostructures Peng Zhengfu, Zhang Yun, Gong Chaoyang, Gao Xiang, Sun Juan, Wu Peng (Nanjing Institute of Electronic Devices 210016) I. INTRODUCTION It is well known that the microwave characteristics of GaAsMESFET devices mainly consist of The electronic saturation speed and gate length decision. Due to the electron saturation speed of GaAs
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