低相位噪声HBT单片压控振荡器的设计

来源 :现代电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:rainbow0938
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与传统的硅双极晶体管(Si BJT)相比,异质结双极晶体管(HBT)具有特征频率高、1/f噪声小的优点,可以用在微波频段内的单片集成电路设计中。采用异质结双极晶体管(HBT)设计一种低相位噪声HBT单片VCO电路,芯片电路测试结果:电压控制频率范围fo=8.0~9.5GHz;输出功率Pout=7~9.5dBm;在偏离振荡中心频率foffset为100kHz时相位噪声Pn=-106dBc/Hz。
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