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研究了采用磁控溅射方法制备的CdS薄膜的工艺及光电性质,在200℃、300℃、400℃和500℃下分别进行50 min的退火处理,SEM扫描发现退火处理后的CdS薄膜成膜质量更好。通过SEM测得CdS薄膜厚度为10μm,计算出CdS薄膜的溅射速率为7.5μm/h。通过探针I-V测试表明,400℃退火处理下,CdS薄膜的光电导特性最为优异,光电流与暗电流之比可达2 134.8。