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采用单电源供电模式，设计了一个基于E-PHEMT晶体管ATF-33143的两级低噪声放大器。在本文中采用Agilent公司的ADS对电路进行了旺配并进行了优化，最后通过s参数仿真得到了低噪声放大器的各项参数，在1．805-1．880GHz频率范丽内噪声系数小于0．45dB，带内增益大于30dB，输人驻波比小于2．0dB，输出驻波比小于1．5dB。仿真结果表明，该设计满足性能指标要求。