半导体的飞秒脉冲探测技术

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在半导体微电子学中,距离短与速度快是紧密关连的,基极长度仅有几十毫微米的三极管中电子渡越时间可以小于1皮秒。从而得到结论:要想快,就得小。正是这个事实,激起了人们强烈地关注尺寸非常小的电子器件。要想发展高速器件,就必须了解并且仔细掌握半导体中皮秒(10<sup>-12</sup>秒)和飞秒(10<sup>-15</sup>秒)的动力学过程,例如,在砷化镓场效应管和异质结双极晶体管中,导带中高能电子在高迁移率区和低迁移率区之间的转换,明显地限制了可能达到的最高
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