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本文用磁控溅射方法研究了全铌隧道结ｄｃＳＱＵＩＤ的制备．根据铌结的ＳｔｅｗａｒｔＭｃＣｕｍｂｅｒ参量βｃ选择确定结的并联电阻，消除了结的回滞，并联电阻后的ＩＶ曲线很好的符合ＲＳＪ模型．为了获得大的磁通电压调制幅度，设计了较小的ＳＱＵＩＤ环孔，环孔电感为Ｌ～２５ｐＨ．由此制备的ＳＱＵＩＤ具有传输函数（Ｖ／Φｅ）Ｉｂ～１．４ｍＶ／Φ０，其本征能量分辨率达～２４ｈ．