光电导开关非线性模式下光电延迟现象分析

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hang_925
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报道了在高偏置电压下半绝缘GaAs光导开关进入非线性模式并产生光电延迟的实验结果。分析了非线性模式下光电延迟现象,指出半导体材料深能级杂质的俘获作用是产生光电延迟的主要原因;计算了由于电荷畴传输引起的光电延迟时间,得到与实验相吻合的结果。 The experimental results of semi-insulating GaAs photoconductive switches in non-linear mode and photo delay are reported at high bias voltages. The phenomenon of photoelectric delay in nonlinear mode is analyzed. It is pointed out that the trapping of deep-level impurities in semiconductor material is the main cause of photoelectric delay. The photoelectric delay time caused by charge domain transfer is calculated, which is consistent with the experiment.
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