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最近，三洋电机公司采用分子束外延法,研制成功外微分量子效率达80%、内量子效率为95%的GaAlAs系列半导体激光器。以前，这种激光器仅电子和空穴的复合部能使光不泄出，而新研制的激光器由于采用了使晶体成分以数埃量级变化的晶体生长方法，开发出在1500埃的范围内不让光泄出的梯度折射率波长分开限制的异质结构（GRIN-SCH结抅），从而使该激光器的内量子效率提高到95%。