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简要介绍了高温离子注入靶室的设计.通过设计辅助加热装置使离子注入时晶片表面温度达到500℃以上,并通过靶盘旋转和往返平移扫描的方式实现了晶片片内和片间的温度均匀性,满足了碳化硅掺杂、SOI晶片制造等特殊需要.
高温离子注入靶盘设计
【摘 要】
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简要介绍了高温离子注入靶室的设计.通过设计辅助加热装置使离子注入时晶片表面温度达到500℃以上,并通过靶盘旋转和往返平移扫描的方式实现了晶片片内和片间的温度均匀性,满
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十八研究所
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2004年期
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