不同制备工艺对SiC陶瓷表面形貌的影响

来源 :伊犁师范学院学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：sashiu

【摘要】

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采用不同制备工艺（即Si C粉体的预氧化处理）,以Al2O3-MgO-Y2O3为烧结助剂,在1900℃下无压烧结制备Si C陶瓷.用XRD和SEM分析Si C陶瓷微观结构和表面形貌.结果表明:碳化硅粉料未

【作者】

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朱强张晓旭玛迪娜朱丹丹张强王艳辉董肖

【机构】

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伊犁师范学院物理科学与技术学院,南京大学物理学院

【出处】

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伊犁师范学院学报(自然科学版)

【发表日期】

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2015年04期

【关键词】

：

碳化硅陶瓷制备工艺预氧化

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采用不同制备工艺（即Si C粉体的预氧化处理）,以Al₂O₃-MgO-Y₂O₃为烧结助剂,在1900℃下无压烧结制备Si C陶瓷.用XRD和SEM分析Si C陶瓷微观结构和表面形貌.结果表明:碳化硅粉料未经预氧化处理,制备出的Si C陶瓷表面孔隙相对较小,密度相对较高;Si C粉料经预氧化处理后,在烧结过程中产生Y₃Al₅O₁₂相,但密度相对较低.

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