【摘 要】
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引言 在薄膜混合电路的制造中,通常采用Ta或NiCr作为电阻材料。这些材料由于受到500Ω/□的方电阻率的限制,制作高阻值电阻就比较困难。虽然有一些材料如Cr-SiO、Cr-Si能作
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引言 在薄膜混合电路的制造中,通常采用Ta或NiCr作为电阻材料。这些材料由于受到500Ω/□的方电阻率的限制,制作高阻值电阻就比较困难。虽然有一些材料如Cr-SiO、Cr-Si能作到2kΩ/□以上,但是不易制作低阻值电阻。 本研究采用一种新技术,在同一块基片上一次实现了高阻材料和低阻材料的连续淀积,继而采用选择腐蚀工艺,同时制作出高、低阻值的电阻。高阻材料Cr-Si-Co具
Introduction In the manufacture of thin film hybrid circuits, Ta or NiCr is commonly used as a resistive material. Due to the 500Ω / □ square resistivity of these materials, making high-resistance is more difficult. Although some materials such as Cr-SiO, Cr-Si can be made more than 2kΩ / □, but difficult to produce low-resistance. In this study, a new technique was used to achieve a continuous deposition of high-resistance and low-resistance materials on the same substrate at a time, followed by a selective etching process to produce high and low resistance values. High-resistance material Cr-Si-Co with
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