飞兆半导体的80V MOSFET提供38%更低Miller电荷及33% 更低FOMDC/DC转换器电源设计带来更佳的系统效率

来源 :电子与电脑 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fanjiao1989
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
飞兆半导体公司(Fairchild Sereiconductor)宣布推出采用SO-8封装的80伏N沟道MOSFET器件FDS3572,具备综合的性能优势,能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7.5nC Miller电荷(Qgd),比相同RDS(on)级别的产品低38%。该器件的低Miller电荷加上低RDS(on)(16毫欧)特性,其品
其他文献
经过前两期文章对欧盟原本15国WEEE转换情形之介绍,相信大家已对相关立法状况及注意重点有所认识,但由于欧盟在2004年5月1日时接纳了东欧10国参加欧盟,因此相关会员国的权利
前概念思维壁垒对学生构建正确的认知体系有很大的阻碍作用,如何突破前概念思维壁垒是教学中必须面对和解决的问题。从优化知识结构、正确运用物理规律、坚持用实验比较、概念
6月3日—SEMI公布了12项适用于半导体和平面显示器制造业的新技术标准。这些新标准由来自设备供应商、组件制造商和其他参与SEMI国际标准计划的公司的技术专家共同制定。欲知