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利用超高真空化学气相沉积（UHV／CVD）成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长．并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理．以SiH4和GeH4为反应气源，在开有6mm×6mm窗口氧化硅片上进行Si1-xGex外延层的生长．首先分别以不含H2（纯GeH4）和含H2（90％H2稀释的GeH4）的两种Ge源进行选择性外延生长．通过SEM观察两种情况下氧化硅片表面，发现H2的存在对选择性外延生长有至关重要的作用．接着以90％H2稀释的GeH4为Ge源，变化Si源和Ge源的流量比改变H2分