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采用数值方法,研究了半导体InSb材料受连续波激光辐照的熔融阈值,讨论了InSb材料的熔融阈值与入射激光波长、功率密度以及辐照时间的关系,同时考虑了载流子效应对靶内温升过程以及熔融阈值的影响,给出了材料内温度与载流子密度的瞬态分布.
连续波激光辐照半导体InSb材料的熔融破坏
【摘 要】
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采用数值方法,研究了半导体InSb材料受连续波激光辐照的熔融阈值,讨论了InSb材料的熔融阈值与入射激光波长、功率密度以及辐照时间的关系,同时考虑了载流子效应对靶内温升过
【机 构】
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西北核技术研究所,西安,710024
【出 处】
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中国激光
【发表日期】
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2000年4期
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