钝化处理对CdZnTe Γ射线探测器漏电流的影响

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liyan19821021

【摘要】

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表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe探测器的性能,尤其对于共面栅探测器,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关.研究了化学钝化的工艺条件对CdZnTe表面状态

【作者】

：

李万万桑文斌闵嘉华郁芳张斌王昆黍

【机构】

：

上海大学

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2003年5期

【关键词】

：

CDZNTE晶体 Γ射线探测器钝化处理漏电流 CdZnTe crystal Γ-ray detector passivation treatment lea

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表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe探测器的性能,尤其对于共面栅探测器,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关.研究了化学钝化的工艺条件对CdZnTe表面状态的影响,借助原子力显微镜、电子探针和微电流测试仪等手段,研究了CZT表面形貌、组成等特性与器件电学性能之间的关系,有效地降低了器件的表面漏电流.

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