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介绍了一种GaAs基的长波长谐振腔增强型（RCE）光探测器。通过两步生长法,在GaAs衬底上异质外延生长了InP-InGaAs-InP的p-i-n光吸收结构和GaAs/AlAs的分布布拉格反射镜（DBR）。所制备的器件在1549.4nm处获得了67.3%的量子效率和17nm的光谱响应线宽,在1497.7nm处获得了53.5%的量子效率和9.6nm的光谱响应线宽,而InGaAs吸收层厚度仅为200nm。采用单片集成法,工艺简单、易于产业化,随着缓冲层技术的发展,此种RCE光探测器的性能还将获得进一步提升。