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将炔基结构引入该聚酰亚胺主链中,通过热引发化学交联反应构建化学限域位点,抑制高温下氢键的减弱和解离,进而通过交联和高温下更加稳定的氢键协同性提升了该PI薄膜在高温下的尺寸稳定性.结果表明,相对于线性PI,交联后PI在400 ℃的强氢键含量达到26.1％,与未交联PI相比提高了近50％,从而将300～400℃范围的的热膨胀系数(CTE)从33.8×10-6/K降低至5.1×10-6/K.最终制备的PI膜的Tg高达452℃,40～400℃范围内的CTE仅为2.1×10-6/K,拉伸强度高达231 MPa,有望用于AMOLED的基底材料.