【摘 要】
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针对集成电路芯片生产废水成分复杂、无机物含量高的特点,采用水解酸化-改良AAO-高效澄清池-V型滤池-臭氧BAC滤池-吸附滤池工艺进行处理。工程运行结果表明,在综合进水COD的
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针对集成电路芯片生产废水成分复杂、无机物含量高的特点,采用水解酸化-改良AAO-高效澄清池-V型滤池-臭氧BAC滤池-吸附滤池工艺进行处理。工程运行结果表明,在综合进水COD的质量浓度为300 mg/L,NH3-N的质量浓度为40 mg/L,氟化物的质量浓度为8 mg/L的情况下,出水COD的质量浓度为30-40 mg/L,NH3-N的质量浓度为0.2-2.0 mg/L,氟化物的质量浓度为1.0-1.2 mg/L,达到GB 3838—2002《地表水环境质量标准》中Ⅴ类标准。采用该工艺可满足大规模半导体芯
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