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以不同电阻率的P型单晶硅片为研究对象，通过正交实验对化学浸蚀法制备多孔硅的工艺条件进行优化，采用多种仪器对制备的多孔硅比表面积、膜厚、表面形貌、化学组成及光致发光进行表征。结果表明，P型单晶硅片经化学浸蚀后能够形成多孔硅，其膜厚达到3μm；延长浸蚀时间，多孔硅比表面积和膜厚呈先增大后减小的趋势，但化学浸蚀时间太长将导致局部区域的多孔硅层坍塌；室温条件下，多孔硅可光致发光，由于孔洞尺寸分布范围较窄，多孔硅发光半峰宽较窄。