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利用Geant4程序模拟了270keV、500keV^4Ht，离子垂直入射到Au、Ag、Cu薄膜的卢瑟福背散射谱（RBS），讨论了材料、厚度和入射离子能量对背散射谱的影响。对比不同能量^4He离子的背散射谱，能量较大的^4He离子进行薄膜背散射元素分析具有较好的质量分辨率。
^4He离子卢瑟福背散射的Geant4模拟
【摘 要】
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利用Geant4程序模拟了270keV、500keV^4Ht，离子垂直入射到Au、Ag、Cu薄膜的卢瑟福背散射谱（RBS），讨论了材料、厚度和入射离子能量对背散射谱的影响。对比不同能量^4He离子的背散
【机 构】
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黑龙江省科学院技术物理研究所
【出 处】
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黑龙江科学
【发表日期】
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2013年1期
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