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采用第一性原理计算模拟了不同组分的MgxZn1-xO半导体混晶的晶格常数、总能、结构，以及禁带宽度的变化。计算结果显示，随着Mg组分的增加，晶格常数逐渐减小，晶体逐渐偏离纤锌矿结构。对各种不同的Mg原子排列情况进行比较认为，MgxZn1-xO的结构随组分x的增大，发生从纤锌矿到岩盐矿的结构相变的可能性高于发生相分离。另一方面，禁带宽度随组分增大主要由价带顶的移动所致。进一步分析Mg原子各种电子态对价带的影响表明，Mg对价带顶附近能带的贡献依次来自p、d、s态电子。随着组分x的增加，p态电子在价带顶附近的密