【摘 要】
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报道了用MOCVD方法制备的不同Mg掺杂浓度的GaN薄膜的紫外光电导特性 .结果表明 ,没有进行Mg掺杂和弱掺杂的样品具有显著的光响应 ,而且光响应弛豫时间也较短 ,随着Mg掺杂浓度
【机 构】
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山东大学物理系!山东济南250100,山东大学物理系!山东济南250100
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报道了用MOCVD方法制备的不同Mg掺杂浓度的GaN薄膜的紫外光电导特性 .结果表明 ,没有进行Mg掺杂和弱掺杂的样品具有显著的光响应 ,而且光响应弛豫时间也较短 ,随着Mg掺杂浓度的增加 ,材料变成P型 ,光响应变小 ,且弛豫时间变长 .
The UV photoconductivity of GaN thin films with different Mg doping concentrations prepared by MOCVD is reported.The results show that the samples without Mg doping and weak doping have significant photoresponse and the photoresponse relaxation time is also short With the increase of Mg doping concentration, the material becomes P type, the photoresponse becomes smaller and the relaxation time becomes longer.
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