【摘 要】
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通过在基片上直接放置一块永久磁铁来研究外加磁场对磁控溅射靶利用率的影响.实验发现,外加磁场的引入改变了靶表面附近的磁场分布,因而靶的刻蚀环的位置、宽度和深度均发生
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通过在基片上直接放置一块永久磁铁来研究外加磁场对磁控溅射靶利用率的影响.实验发现,外加磁场的引入改变了靶表面附近的磁场分布,因而靶的刻蚀环的位置、宽度和深度均发生了明显的变化,靶的利用率在S-S构型和S-N构型中均比无外加磁场时要高.利用空间模拟磁场成功的解释这一实验现象.在S-S构型和S-N构型中,后者靶的刻蚀深度轮廓线比较平坦,相对刻蚀深度值更大,更能有效地提高靶的利用率.
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