Fe／GaAs中自旋注入效率的研究

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zhangxizi

【摘要】

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自旋电子学是近年来发展迅速的一个研究领域,利用了传导电子自旋这一自由度的自旋电子器件以其提高数据处理速度、降低能量消耗、容易增加集成密度等优点正引起人们的空前关

【作者】

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张余洋刘之景

【机构】

：

中国科学技术大学近代物理系

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2005年8期

【关键词】

：

自旋电子学自旋的漂移-扩散方程自旋注入效率 spintronics spin drift-diffusion equation spin injecti

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自旋电子学是近年来发展迅速的一个研究领域,利用了传导电子自旋这一自由度的自旋电子器件以其提高数据处理速度、降低能量消耗、容易增加集成密度等优点正引起人们的空前关注.文中阐述了自旋的漂移-扩散方程,并对以Fe/GaAs为代表的铁磁性金属/半导体结构(FM/SC)进行了简单分析.如果选取参数适当,可以在Fe/GaAs结中获得较大的自旋注入效率.

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