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模拟了处在一定功率密度或不同温度下封装结构贴片的形变引起的X波段MEMS开关芯片的形变，从而导致的开关芯片性能的变化。用Coventor软件模拟出在开关衬底为200μm，贴片处功率密度为300pW／μm^2时，开关芯片的形变量为0．142μm；开关衬底为300μm，温度为373K时，开关芯片的形变量为0．791μm。进一步用HFSS模拟出开关的插入损耗在中心频率10GHz处由封装前的0．042dB和0．022dB变化为封装后的0．078dB和0．024dB。