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采用磁控溅射方法沉积TiO2薄膜及电极层，制备W／TiO2／ITO薄膜阻变存储器单元。利用原子力显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪对薄膜进行表征，测试结果表明：TiO2薄膜表面平整、致密；组织结构以非晶为主，仅有少量的金红石相TiO2（110）面结晶；钛氧比为1：1．92，其内部存在少量的氧空位。在电学测试中，元件呈现出了稳定的双极阻变现象，KSet分布在0．92V左右，VResent分布在-0．82V左右；元件窗口值稳定，数据保持特性良好。通过对元件I-V曲线线性拟合结果的分析，我们认为元件的阻变