【摘 要】
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利用化学气相沉积法,成功地制备了掺Sb的SnO_2织构膜,并对其电学、光学和结构特性,以及它们与工艺参数的关系进行了分析研究。在最佳工艺条件下,这种膜的方块电阻达10Ω/,直
【机 构】
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北京工业大学无线电系,北京工业大学无线电系
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利用化学气相沉积法,成功地制备了掺Sb的SnO_2织构膜,并对其电学、光学和结构特性,以及它们与工艺参数的关系进行了分析研究。在最佳工艺条件下,这种膜的方块电阻达10Ω/,直射透过率约为80％(波长800nm)。在这种织构膜上制作的a-Si 太阳电池,其开路电压和短路电流明显地高于在光面ITO/SnO_2复合膜上制作的电池。
The Sb doped SnO 2 textured films were successfully prepared by chemical vapor deposition. Their electrical, optical and structural properties, as well as their relationship with process parameters were studied. Under optimal process conditions, the film has a sheet resistance of 10 Ω / square and a direct transmission of about 80% (wavelength 800 nm). The a-Si solar cells fabricated on such textured films have significantly higher open-circuit voltage and short-circuit current than those fabricated on glossy ITO / SnO 2 composite films.
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