论文部分内容阅读
采用金属离子注入法形式CoSi2/Si肖特基结并分析电学特性.分别测量不同退火条件下样品的I-V、C-V特性,得出了各样品的势垒高度、串联电阻和理想因子.结果表明,采用快速热退火方法形成的结性能较好.
大束流离子注入形成P—Si CoSi2／Si肖特基结的电学特性
【摘 要】
：
采用金属离子注入法形式CoSi2/Si肖特基结并分析电学特性.分别测量不同退火条件下样品的I-V、C-V特性,得出了各样品的势垒高度、串联电阻和理想因子.结果表明,采用快速热退火
【机 构】
：
清华大学微电子学研究所
【出 处】
：
固体电子学研究与进展
【发表日期】
：
2005年1期
其他文献
介绍了利用0.18 μm CMOS工艺实现了应用于光纤传输系统SDH STM-64级别的时钟和数据恢复电路.采用了电荷泵锁相环(CPPLL)结构,CPPLL中的鉴相器能够鉴测相位产生超前滞后逻辑,