(H4N)2S对电合成CoO/聚苯胺复合膜腐蚀性能的影响

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在CoSO4-C6H7N-H2SO4混合液中,采用恒电位法合成了氧化钴/聚苯胺(CoO/PANI)复合膜,研究了添加剂硫脲((H4N)2S)对CoO/PANI复合膜的影响。通过电化学测试技术,SEM、XRD和加速腐蚀试验等方法对CoO/PANI复合膜的微观形貌及耐腐蚀性能进行分析。结果表明,合成的CoO/PANI复合膜中,CoO以晶体形式存在,(H4N)2S的加入改变了CoO/PANI膜层的微观形貌,由不致密不规则的片状形貌,转变为均匀致密规则的片状一体形貌,(H4N)2S加入量过大导致(H4N)2S-CoO/PANI复合膜表面出现少量孔洞;未添加(H4N)2S的CoO/PANI复合膜自腐蚀电流密度7.079×10-6A/cm2,自腐蚀电位-0.545V,添加0.3g/L的(H4N)2S后,(H4N)2S-CoO/PANI复合膜自腐蚀电流密度达到7.943×10-7A/cm2,自腐蚀电位达到-0.314V,极化电阻为6426.8?·cm-2,经过10%HCl点滴腐蚀时间达478s,中性盐雾实验56h未见锈蚀,显著提高了(H4N)2S-CoO/PANI复合膜的耐腐蚀性能。
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