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随着半导体技术的飞速发展,半导体制造技术已经从90nm进入45nm时代,32nm技术也已经开始研发和应用。而铝线从最早半导体芯片一直沿用至今。虽然铜线的应用只有不到八年历史,而且将来铜线会逐渐增加,铝线会逐渐减少;但是为了和后段封装测试工艺相匹配,铝金属联接还将长期存在。在这其中,铝金属蚀刻工艺是必不可少的环节。铝金属蚀刻工艺中最重要缺陷之一就是铝金属腐蚀。本课题讨论的就是在90nm及以下铝金属蚀刻工艺中碰到的铝金属腐蚀的缺陷。寻求以改善干法蚀刻的工艺为主要手段,通过改进整个铝金属工艺流程为辅助手段,能够有效的改善铝金属腐蚀的缺陷的解决方案。