本文采用Pekar变分法和量子统计原理相结合的方法研究了各向异性抛物量子点中量子比特的性质。首先采用Pekar变分法,研究了各向异性抛物势对量子点中量子比特性质的影响,得到了与纵光学声子强耦合的电子的基态、第一激发态能量及其相应的波函数。然后,以这样的二能级系统构造了一个单量子比特,并研究了各向异性抛物势对其性质的影响。数值结果表明,量子比特内电子的概率密度随时间做周期性振荡,随各向异性抛物势在不同方向上的有效受限长度的增大而减小,量子比特的振荡周期随有效受限长度的增大而增大。其次采用Pekar变分和量子统计原理相结合的方法,研究各向异性抛物势影响下量子点中量子比特的温度效应,得到了电子与纵光学声子强耦合的量子比特中电子概率密度及其振荡周期的含时演化规律和温度效应。数值结果表明,可以通过调节系统的温度至合适值和选择具有较小耦合强度的材料,以期达到延长振荡周期和增大概率密度幅值的效果。研究表明各向异性抛物势限制下的量子点与一般抛物势影响下的量子点相比,各向异性抛物势作用下的量子点在限制量子比特消相干和增大概率密度幅值方面具有更加灵活的调节方式。研究结果对未来量子功能器件的研究和设计具有一定的指导意义。