角分辨光电子谱，在研究固体中被电子占据的能带结构方面十分有效，是一种得到广泛认同和应用的实验方法。通过角分辨光电子谱的测量，我们可以得到结合能作为给定动量的函数，这使其十分适合直接探测材料中电子的能带结构。同步辐射光源的发展促进了最先进的光电子谱探测方法的进步，这使得角分辨光电子谱逐渐成为研究材料内部电子能带结构最重要的实验技术。角分辨光电子谱是研究二维表面系统的理想选择，与此同时，在高达meV的分辨率下，为研究不断变化的光子入射提供了无与伦比的灵活性。在这一分辨率下，我们可以更为精准地测量多体作用下的电子能带的精细结构。许多这方面的实验表明，由于复杂系统中费米面附近的电子受到声子的强烈散射，系统的性质因此受到电子-电子相互作用和电声子耦合共同作用的影响。因此，理论上阐明复杂系统中电子-电子和电声子的共同作用是十分重要的。　　 尽管已经有很多研究试图探索电声子耦合系统或者强关联体系的角分辨光电子谱，但同一体系中，电子-电子相互作用和电声子耦合之间的竞争始终是一个值得研究的问题。本论文理论研究了同时存在这两种相互作用的模型体系的角分辨光电子谱，并试图阐明其中电荷密度波能隙和自旋密度波能隙的产生和变化。　　 我在绝热近似的条件下，计算了一维半充满Hubbard-Holstein模型的角分辨光电子谱。声子的质量被假设为无限大，只考虑电子与刚性形变的晶格之间的散射。在数值计算中，晶格的热涨落采用经典蒙特卡罗方泫模拟，电子间的相互作用采用平均场理论处理。周期性边界条件应用于整个系统。我们发现，由电声子耦合所产生的电荷密度波能隙会被晶格的热涨落或同一格点上电子之间的库仑排斥所破坏。在这些相互作用的竞争中，会有零能隙的角分辨光电子谱产生，同样的情况也产生于电荷与自旋密度波完全抵消的时候。还可以观察到的是，在体系由电荷密度波绝缘体向自旋密度波绝缘体转化的过程中，角分辨光电子谱的形状受到了很大的影响。鉴于目前的工作采用平均场理论处理电子间的库仑排斥，所以还无法考虑有限温度下的自旋涨落以及费米面附近的多电子散射。未来的工作有必要阐明这些高阶的电子关联。