SiC纤维增强陶瓷基复合材料（SiCf-CMC）具有强度高、耐高温、抗氧化、热膨胀系数小、密度低等一系列优点,已经广泛用于航空航天、能源等领域。目前应用最广泛的陶瓷基体相为SiC,制备工艺主要有化学气相渗透法（Chemical Vapor Infiltration,CVI）、先驱体浸渍裂解法（Precursor Impregnation and Pyrolysis,PIP）和液相硅浸渗法（Liquid Silicon Infiltration,LSI）。其中LSI工艺（又称熔融渗硅工艺）具有成本低、周期短、致密等优点。本论文以SiC纤维为增强体,分别以Mo粉和磷钼酸（PMA）为钼源,酚醛树脂为碳源制备了多孔状预制体。通过控制Mo和C的含量,得到不同成分和孔隙结构的预制体。以Mo粉为钼源所制备的预制体经碳化后成分为C、Mo和Mo2C。当Mo粉添加量为0时,碳化后预制体孔隙率为29%,基体中大块碳被裂纹分割,这些裂纹主要是基体收缩造成的。随着Mo粉添加量的增多,预制体的孔隙率增加。当Mo粉添加量为50%时,孔隙率为40%,碳化后预制体中仍存在致密的碳块。相比之下,当以PMA为钼源时,热解后的预制体成分为C和Mo2C,并且随着PMA含量的增多,大块的致密碳消失,获得了均匀的多孔结构。对上述两种不同Mo源的预制体进行熔融渗硅,得到致密的SiCf/SiC-MoSi2复合材料。以Mo粉为钼源的复合材料中,随着Mo粉添加量的增加,残余碳含量降低。当Mo粉含量≥50%时,由于反应导致的体积膨胀,复合材料出现局部开裂现象。以PMA为钼源时,当PMA添加量增加至30%时,复合材料基体中的残余碳消失,并且MoSi2相在基体中的分布均匀。在最终复合材料中,残余硅的体积含量随着Mo源含量的增加而降低,其中以Mo粉制备的SiC/SiC-MoSi2复合材料最低含量为19.3%,而以PMA制备的SiC/SiC-MoSi2复合材料最低含量为 14.3%。对SiCf/SiC-MoSi2复合材料进行了力学性能和高温抗氧化性能研究,结果显示均为脆性断裂,断口处无明显纤维拔出,说明SiC纤维被熔融Si侵蚀后形成了强界面结合。当Mo粉的添加量为30%时,弯曲强度最高,为149.3MPa;当Mo粉的添加量为0%,弯曲的强度最低,为86.4MPa。当没有Mo粉加入时,试样在1200℃氧化20h后失重率高达19.9%,而含40%Mo粉的样品失重率只有0.19%,主要是由于试样基体中的残余碳严重影响了复合材料的抗氧化性能。当以PMA为Mo源且试样中PMA含量为30%时,基体中无残余碳存在,氧化后的质量变化为增重0.09%,表现出了优异的抗氧化性能。对渗硅过程中各物质的热力学和动力学分析表明,LSI过程中SiC形成机理是由扩散和溶解-沉淀共同决定的,而MoSi2的形成机理主要是遵循溶解-沉淀机理。